Розглянуто переваги та особливості застосування штучно створеного плазмового середовища з метою компенсації зовнішньої плазмової оболонки для підвищення завадостійкості супутникових телекомунікацій. Встановлено загальну закономірність впливу ефекту в плазмі порожнистого катода на створення завадостійкого середовища, що залежить від умов використання енергії швидких електронів під час їх коливального руху, позитивних іонів, швидких нейтральних частинок, метастабільних атомів і фотонів.

  Повний текст PDF - 591.283 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"