Наукова періодика України | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка | ||
Онищенко В. Ф. Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В. Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 158-162. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_17 Виконано числовий розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії (МПК) за освітлення світлом із довжинами хвиль 0,95 і 1,05 мкм. Розрахунки проведено для МПК із різною глибиною макропор і різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує 2 максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в МПК, якщо він освітлюється світлом із довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у МПК знаходиться в макропористому шарі, другий максимум - у монокристалічній підкладці. Показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у МПК, який знаходиться в монокристалічній підкладці, за освітлення світлом довжиною хвилі 1,05 мкм. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Онищенко В. Ф. Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В. Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 158-162. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_17. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |