Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au - TiB2 - n-SiC 6H. Показано повышение точности для методов, учитывающих влияние последовательного сопротивления при расчете фактора идеальности и высоты барьера, на примере методов Чонга и прямой аппроксимации. Установлено, что основную погрешность в рассчитанные параметры в исследуемом диоде вносит несоответствие реальной ВАХ ее модели: температурная зависимость высоты барьера, зависимость фактора идеальности от напряжения. Показана необходимость определения механизма токопереноса для корректного расчета высоты барьера Шоттки. Обнаружено что метод энергии активации и метод Сато применимы только при отсутствии температурной зависимости высоты барьера и частично применимы при линейной зависимости высоты барьера от температуры, в иных случаях их результаты будут спорны.

  Повний текст PDF - 708.967 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"