Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления <$E rho sub c ( T )> омических контактов к широкозонным полупроводникам A<^>3B<^>5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа <$E rho sub ( T )> предложен новый способ увеличения <$E rho sub c> с повышением температуры измерения. В нем учитывается токопрохождение по металлическим шунтам, совмещенным с перпендикулярными к границе раздела металл - полупроводник дислокациями. Показано, что малое поперечное сечение металлических шунтов обусловливает реализацию большого потенциала сил зеркального изображения, превышающего исходную величину барьера Шоттки. В результате этого возникают обогащающие изгибы зон у торцов шунтов, реализуются диффузионная теория токопрохождения в контакте, а также зависимость величины <$E rho sub c> от подвижности электронов. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей <$E rho sub c ( T )> для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, совмещенных с металлическими шунтами. Показана возможность уменьшения <$E rho sub c> омических контактов к соединениям A<^>3B<^>5 и Si, подвергнутых атермической микроволновой обработке.

  Повний текст PDF - 751.514 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"