| Наукова періодика України |
| Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка |
Сукач А. В. Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, В. І. Іващенко, О. К. Порада, А. О. Козак, А. І. Ткачук, А. Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 96-104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_10 Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196 - 353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т << 300 <$E symbol Р>C) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки c-Si з дірковим типом провідності. З'ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розподілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів пояснюється локалізацією активної області виключно в p-Si. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Сукач А. В. Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, В. І. Іващенко, О. К. Порада, А. О. Козак, А. І. Ткачук, А. Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 96-104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_10.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
