Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах

Сукач, А. В.; Тетьоркін, В. В.; Ворощенко, А. Т.; Кравецький, М. Ю.; Лук’яненко, В. І.; Луцишин, І. Г.

Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p - n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162 - 291 К і за напруг зворотного зміщення <$E symbol Г~0,4> В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За нижчих температур Т << 162 К у дослідженому діапазоні напруг зміщення переважає тунельний струм. Запропоновано модель протікання зворотного тунельного струму за участю протяжних локальних дефектів, що перетинають активну область p - n-переходів, яка задовільно пояснює експериментальні результати.


	Наукова періодика України		Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка