З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) - <$E DELTA E sub g> - наночастинок As2S3 у матриці SiO1,5. Під час формування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш'яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 відбувається зменшення концентрації S - S- та збільшення концентрації As - As-зв'язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення <$E DELTA E sub g> (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As2S3/SiO1,5 шарах у порівнянні з суцільними As2S3 плівками. Ефект збільшення <$E DELTA E sub g> у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As2S3, які знаходяться в діелектричній матриці.

  Повний текст PDF - 191.846 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"