Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоэдс, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN - GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при <$E Т~=~900~symbol Р>C, характерно изменение знака фотоэдс в области края поглощения GaAs. Кривые распределения эдс знакопеременные и имеют нелинейный характер. Определено, что отжиг при <$E Т~=~950~symbol Р>C приводит к увеличению относительной неоднородности толщины области истощения и отсутствию изменения знака спектральной характеристики фотоэдс. При этом сохраняется значительное влияние неоднородности изгиба зон в области истощения гетеросистемы на характер распределения латеральной эдс.

  Повний текст PDF - 182.641 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"