Наукова періодика України | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка | ||
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 69-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_8 Особливості розмірів та структури нанооб'єктів обумовлюють ряд їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки і порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях, сумірних з міжатомними, ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас; і т. ін. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень за умови зміни температурних умов. Обговорено застережні заходи з метою зменшення темпів процесів деградації наноструктур.Розглянуто основні особливості нанооб'єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі випадки в практиці радіаційної фізики є домінуючими), розглянуто шляхи мінімізації впливу цих нестабільностей на основні властивості напівпровідникових НО.Зазначено, що особливості розмірів і структури нанооб'єктів обумовлюють низку їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки та порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях сумірних з міжатомними ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас тощо. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень у разі зміни температурних умов. Розглянуто застережні заходи з метою зниження темпів процесів деградації наноструктур. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 69-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_8. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |