Наукова періодика України | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка | ||
Павлович І. І. Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 117-121. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_14 Проведено експериментальні дослідження залежностей термоелектрорушійної сили та електропровідності <$E p- roman {(Bi sub 2 Te sub 3 ) sub 0,25 (Sb sub 2 Te sub 3 ) sub 0,72 (Sb sub 2 Se sub 3 ) sub 0,03}> та <$E n- roman {(Bi sub 2 Te sub 3 ) sub 0,9 (Sb sub 2 Te sub 3 ) sub 0,05 (Sb sub 2 Se sub 3 ) sub 0,05}>, вирощених за допомогою методу вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення кількості носіїв заряду, утворених домішками (Pb, I), відносно інших дефектів, у тому числі й антиструктурних, сприяє збільшенню термоелектричної ефективності (<$E alpha sup 2 sigma>) і зменшує термічну деградацію матеріалу за робочих температур гарячого спаю генератора ~ 650 К. Показано, що у разі легування свинцем <$E p- roman {(Bi sub 2 Te sub 3 ) sub 0,25 (Sb sub 2 Te sub 3 ) sub 0,72 (Sb sub 2 Se sub 3 ) sub 0,03}> масовою часткою понад 0,6 % відбувається насичення. Використання такого матеріалу для створення термоелектричних генераторів дало можливість збільшити коефіцієнт корисної дії модуля на 18 %. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Павлович І. І. Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 117-121. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_14. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |