В образцах контакта Шоттки NbN - GaAs обнаружена и исследована фотоэлектродвижущая сила, которая генерируется вдоль границы раздела металл - полупроводник. Характер распределения электродвижущей силы вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных характеристик фотоэлектродвижущей силы связана с вкладом в измеряемый сигнал нескольких составляющих электродвижущей силы, которые генерируются на потенциальных барьерах гетеросистемы металл - полупроводник. Наблюдается изменение формы спектральных характеристик и знака фотоэлектродвижущей силы при освещении образца со стороны металла. Это обусловлено изменением соотношения между составляющими электродвижущей силы, которые генерируются в слоях гетеросистемы с разным уровнем проводимости. Показано, что на вид спектральных зависимостей существенно влияет переходной полупроводниковый слой, который формируется у границы раздела контакта Шоттки.

  Повний текст PDF - 502.507 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"