Удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Одержано співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення.Розроблено математичну модель частотного перетворювача з вологочутливим МДН-конденсатором, яка складається з двох комплементарних МДН-транзисторів. На базі системи рівнянь Кірхгофа одержано залежності активної, реактивної складової повного опору перетворювача, а також частоти генерації від відносної вологості навколишнього середовища, аналітичні вирази для функції перетворення та рівняння чутливості. На підставі аналізу проведених теоретичних та експериментальних досліджень показано, що математична модель описує поведінку перетворювача з похибкою <$E symbol С> 3 %.Розроблено математичну модель мікроелектронного частотного перетворювача вологості, на базі якої одержано аналітичні залежності функції перетворення та рівняння чутливості. Чутливість розробленого перетворювача вологості зі зміною вологості від 0 до 10 % складає 1,5 кГц/%, а в діапазоні зміни вологості від 10 до 20 % дорівнює 2 кГц/%.

  Повний текст PDF - 395.944 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"