Наукова періодика України Хімія, фізика та технологія поверхні


Karachevtseva L. A. 
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon / L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - Т. 9, № 2. - С. 158-166. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2018_9_2_7
Релаксацію розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію (МПК) розраховано за допомогою методу кінцевих різниць. Початковий розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду має 2 максимуми, після генерації носіїв заряду електромагнітної хвилею 0,95 мкм із малою глибиною поглинання. Перший максимум функції початкового розподілу знаходиться в макропористому шарі (МПШ), другий - в монокристалічній підкладці (МКП). Поверхнева рекомбінація призводить до дифузії надлишкових носіїв заряду до центрів рекомбінації і створює неоднорідність їх розподілу. Виявлено швидке зменшення максимуму функції розподілу надлишкового носіїв заряду в МПШ і поблизу межі між МПШ і МКП. Виявлено повільне зниження функції розподілу в МКП. Швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі МПК через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок дифузії носіїв заряду до поверхні кремнієвої підкладки. Після генерації фотоносіїв електромагнітною хвилею 0,95 мкм із малою глибиною поглинання, швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі МПК через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок їх дифузії до поверхні кремнієвої підкладки. Після однорідної генерації носіїв заряду електромагнітною хвилею 1,05 мкм з великою глибиною поглинання формується один максимум розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду. Водночас швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується у всій структурі.
  Повний текст PDF - 452.628 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Karachevtseva L.
  • Onyshchenko V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Karachevtseva L. A. Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon / L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - Т. 9, № 2. - С. 158-166. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2018_9_2_7.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Онищенко Володимир Федорович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського