Надано результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-Si(100) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за такої лазерної обробки. Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si у процесі лазерного опромінення. Проведено оптичні дослідження (спектри відбиття та пропускання) твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) до та після лазерного опромінення в діапазоні енергій 46,6 - 163,5 мДж/см<^>2. Показано, що в області фундаментального оптичного переходу цього матеріалу відбиваюча здатність зменшується, а пропускання збільшується зі збільшенням енергії лазерного опромінення.

  Повний текст PDF - 651.337 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"