Наукова періодика України | Хімія, фізика та технологія поверхні | ||
Tishchenko I. Yu. TGA-DSC-MS analysis of silicon carbide and of its carbon-silica precursor / I. Yu. Tishchenko, O. O. Ilchenko, P. O. Kuzema // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2015. - Т. 6, № 2. - С. 216-223. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2015_6_2_9 Шляхом карботермічного відновлення нанокремнезему синтезовано бета карбід кремнію високої чистоти з субмікронним та мікронним розміром частинок. Одержаний порошок та кремнезем-вуглецеву шихту охарактеризовано за допомогою методів інфрачервоної спектроскопії з Фур'є перетворенням, електронної мікроскопії та рентгенівської дифракції. Результати аналізу за методом ТГА-ДСК-МС вказують на можливість кількісного визначення за допомогою цього методу вуглецю в шихті та залишкового вуглецю в карбіді кремнію з чутливістю на рівні 5 pmm. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Tishchenko I. Yu. TGA-DSC-MS analysis of silicon carbide and of its carbon-silica precursor / I. Yu. Tishchenko, O. O. Ilchenko, P. O. Kuzema // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2015. - Т. 6, № 2. - С. 216-223. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2015_6_2_9.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |