Проведено порівняльну квантовохімічну (за допомогою методу РМ3 2012, 14.083 W) оцінку процесів літіювання/делітіювання нанокластерів Sin і нанокомпозитів CmSin. Показано, що в нанокомпозитах (25 і ~ 30 % C, відповідно) процеси літіювання/делітіювання практично не впливають на об'єми та структуру вихідної (CmSin), літійованої (Lik=0-52CmSin) і делітійованої (Lik=52-0CmSin) кремній-вуглецевої матриці Si/C. Електроди з таких матеріалів не повинні піддаватися руйнівним періодичним деформаціям у заряд/розрядних циклах. Навпаки, за менших концентрацій вуглецю (нанокомпозит C6Si13, ~ 16 % C) літіювання призводить до стрибкоподібного збільшення V(C6Si13) в 1,8 разу, а делітіювання - до зміни структури вихідної кремній-вуглецевої матриці Si/C. Для електродів Si/C з концентрацією вуглецю понад 37 % (композити Cm>>18Sin) літіювання викликає монотонне збільшення об'єму в 1,3 (C18Si13) і 1,5 (C26Si13) разу, а делітіювання - до істотної зміни вихідної структури кремній-вуглецевої матриці.

  Повний текст PDF - 557.459 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"