Наведено результати структурних досліджень шарувато-ланцюжкових напівпровідникових кристалів In4Se3 за допомогою методу X-променевої дифрактометрії та їх поверхонь сколювання (100) за допомогою методу дифракції повільних електронів (ДПЕ). Показано, що поверхні сколювання (100) In4Se3 є структурно стабільними і не зазнають атомної реконструкції у широкому температурному діапазоні 77 - 295 K. Проведено оцінку сталих двовимірної гратки, що знаходяться у площині поверхонь сколювання (100) шаруватих орторомбічних кристалів In4Se3, за дифракційними картинами. Одержані результати розрахунків сталих поверхневих граток b = 11,475 ангстрем і c = 3,734 ангстрем співпадають, у межах похибок, з їх значеннями, одержаними за допомогою методу X-дифрактометрії (b = 12,308(1) ангстрем і c = 4,0810(5) ангстрем), що вказує на адекватність використаної моделі для розрахунку сталих граток поверхонь сколювання (100) In4Se3 за результатами ДПЕ. Цим самим показано, що окрім того, що поверхні сколювання (100) In4Se3 є структурно стабільними щодо симетрії поверхневої гратки, вони не зазнають температурної атомної реконструкції, і сталі поверхневої гратки залишаються слабкозмінними у широкому температурному діапазоні 77 - 295 K у межах температурного видовження.

  Повний текст PDF - 859.932 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"