Наукова періодика України | Journal of thermoelectricity | ||
Gaidar G. P. Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal / G. P. Gaidar, P. I. Baranskii // Journal of thermoelectricity. - 2016. - № 4. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jtherel_2016_4_3 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Gaidar G. P. Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal / G. P. Gaidar, P. I. Baranskii // Journal of thermoelectricity. - 2016. - № 4. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jtherel_2016_4_3. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |