Наукова періодика України | Журнал фізики та інженерії поверхні | ||
Жураев Н. Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2017. - Т. 2, № 1. - С. 26-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2017_2_1_6 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Жураев Н. Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2017. - Т. 2, № 1. - С. 26-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2017_2_1_6. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |