Наукова періодика України Журнал фізики та інженерії поверхні


Жураев Н. 
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2017. - Т. 2, № 1. - С. 26-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2017_2_1_6
  Повний текст PDF - 845.46 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Жураев Н.
  • Халилов М.
  • Отажонов С.
  • Алимов Н.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Жураев Н. Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2017. - Т. 2, № 1. - С. 26-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2017_2_1_6.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського