Temperature Characteristics of Silicon Nanowire Transistor Depending on Oxide Thickness

AlAriqi, H. T.; Jabbar, W. A; Manap, H. B; Hashim, Y.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

AlAriqi H. T.
Temperature Characteristics of Silicon Nanowire Transistor Depending on Oxide Thickness / H. T. AlAriqi, W. A Jabbar, H. B Manap, Y. Hashim // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03027-1-03027-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_29

Повний текст PDF - 407.411 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

AlAriqi H. T. Temperature Characteristics of Silicon Nanowire Transistor Depending on Oxide Thickness / H. T. AlAriqi, W. A Jabbar, H. B Manap, Y. Hashim // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03027-1-03027-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_29.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача