Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Diachenko O. V. 
Efficiency Modeling of Solar Cells Based on the n-Zn1-xMgxO / p-SnS Heterojunction / O. V. Diachenko, O. A. Dobrozhan, A. S. Opanasyuk, D. I. Kurbatov, V. V. Grynenko, S. V. Plotnikov // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03024-1-03024-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_26
Визначено рекомбінаційні й оптичні втрати в допоміжних і поглинаючому шарах фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії на основі гетеропереходу (ГП) n-MgxZn1-xO/p-SnS (x = 0; 0,3; 1) зі струмознімальними прозорими фронтальними контактами AZnO та ІТО. Одержаніоспектральні залежності коефіцієнта пропускання світла сонячними елементами (СЕ), враховуючи відбиття світла від меж поділу контактуючих шарів матеріалів, а також його поглинання в допоміжних шарах приладів. Визначено квантовий вихід досліджуваних структур фотоперетворювачів. Досліджено вплив рекомбінаційних і оптичних втрат в СЕ з конструкцією ITO(AZnO)/MgxZn1-xO/SnS на струм короткого замикання за різної товщини віконного шару MgxZn1-xO (25 - 400 нм) та сталій товщині струмознімальних шарів AZnO і ІТО (100 - 200 нм). Розраховано ккд структур для випадку напруги холостого ходу Uxx, знайденої з енергетичних діаграм переходів та взятої з літературних даних. Встановлено, що в першому випадку СЕ можуть мати ефективність, яка зростає у разі збільшення вмісту Mg у твердому розчині від 4,91 % (ГП ZnO/SnS) до 10,8 % (ГП MgO/SnS). У другому випадку найбільші значення ефективності (<$Eeta~=~11,62~%>) мають СЕ на основі ГП ZnO/SnS зі струмопровідним контактом AZnO. Прилади на основі ГП Mg0,3Zn0,7O/SnS та MgO/SnS, показують значення ккд 5,97 та 5,84 % відповідно. Матеріал верхнього струмопровідного контакту слабко впливає на ефективність СЕ. Одержані результати надають змогу визначити максимальне значення ефективності розглянутих СЕ з урахуванням рекомбінаційних та оптичних втрат в шарах фотоперетворювачів та провести онтимізацію параметрів реальних приладів з метою досягнення цих значень ккд.
  Повний текст PDF - 488.162 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Diachenko O.
  • Dobrozhan O.
  • Opanasyuk A.
  • Kurbatov D.
  • Grynenko V.
  • Plotnikov S.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Diachenko O. V. Efficiency Modeling of Solar Cells Based on the n-Zn1-xMgxO / p-SnS Heterojunction / O. V. Diachenko, O. A. Dobrozhan, A. S. Opanasyuk, D. I. Kurbatov, V. V. Grynenko, S. V. Plotnikov // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03024-1-03024-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_26.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Дьяченко Ольга Валеріївна (технічні науки)
  • Опанасюк Анатолій Сергійович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського