Двовимірні дефекти можуть суттєво обмежити ефективність сонячних елементів із мультикристалічного кремнію (mc-Si) з багатьох причин. Вивчено вплив границь зерен, двійників і дефектів пакування на втрати фактора заповнення в сонячних елементах із mc-Si. Ніяких явних залежностей паразитних опорів і часу життя неосновних носіїв від наявності двовимірних дефектів не було виявлено. Розглянуто механізм, зумовлений взаємодією Сузукі дефектів укладки з деякими металевими фоновими домішками, що призводить до збільшення рекомбінаційної складової струму насичення p-n переходу. Можливості корисного управління виникненням і властивостями дефектів пакування під час кристалізації злитку та його розрізання на пластини було обговорено. Не спостерігалося виливу меж зерен, двійників і дефектів пакування на втрати ефективності сонячних елементів через паразитні омічні опори. Крім візуально спостережуваних меж зерна і двійників, виявлено кластери деформаційних дефектів пакування, які здатні накопичувати рекомбінаційні домішки. Коли кути між площинами дефектів пакування і p-n переходом малі, то більша частина збідненого шару зайнята ними, а рекомбінаційна складова струму насичення суттєво зростає, що призводить до підвищення втрат ефективності.

  Повний текст PDF - 384.901 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"