Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Gaidar G. P. Modification of the Defective Structure of Silicon under the Influence of Radiation / G. P. Gaidar, M. B. Pinkovska, M. I. Starchyk // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03010-1-03010-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_12 Досліджено особливості дефектоутворення у поверхневих і приповерхневих шарах Si під впливом опромінення пучками високоенергетичних іонів газів різних мас і показано перспективи використання таких іонних пучків для технології радіаційного легування напівпровідників. Встановлено, що ступінь пошкодження Si як в області пробігу іонів, так і в області їх гальмування збільшується і ускладнюється зі збільшенням енергії і маси іонів. Найбільші порушення структури спостерігалися в області гальмування іонів, де концентрація дефектів була максимальною. Виявлено, що структура області пробігу після опромінення протонами суттєво не змінювалася, на відміну від сильно пошкодженої структури після опромінення альфа-частинками. Більш впорядковані та вузькі лінії напружень, пов'язані з дефектами, спостерігалися в Si, опроміненому протонами, а їх кількість і розташування щодо гальмівної лінії залежали від інтенсивності пучка іонів. Встановлено для Si, опроміненого альфа-частинками, що область їх гальмування складається з порожнеч різних розмірів і форм, витравлених як суцільний шар та у вигляді окремих кластерів, що супроводжуються дислокаційними петлями, які утворилися. З'ясовано, що складна структура смуги гальмування дейтронів у кремнії зумовлена наявністю дислокацій у вихідному Si, їх рухом і взаємодією з радіаційними дефектами за опромінення. Остаточна картина формування і впорядкування дефектів визначається взаємодією ростових і радіаційних дефектів і температури під час опромінення. Виявлено зміни ширини витравленої смуги гальмування в межах від 20 до 200 мкм залежно від маси іонів. Мінімальну ширину гальмівної смуги для всіх типів опромінення одержано на краю опромінюваної області, де температура зразка була нижчою внаслідок охолодження, а максимальну - в центрі опромінюваної області. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Gaidar G. P. Modification of the Defective Structure of Silicon under the Influence of Radiation / G. P. Gaidar, M. B. Pinkovska, M. I. Starchyk // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03010-1-03010-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_12. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |