Досліджено вплив умов вирощування на оптичні й електричні властивості тонких плівок Cu2O. Також досліджено електричні властивості гетероструктури p-Cu2O/n-Cd1-xZnxTe, одержаної на основі цих плівок. Тонкі плівки Cu2O одержували за методом ВЧ-магнетронного розпилення мішені з порошку оксиду міді II на підкладки зі скла та ситалу. За одержання досліджуваних плівок змінювали температуру підкладок (<$E270~symbol Р roman C~symbol Г~T sub s ~symbol Г~375~symbol Р roman C>) та час розпилення мішені (30 хв <$Esymbol Г~t~symbol Г~60> хв). За оптимальних режимів було одержано плівки p-Cu2O із шириною оптичної забороненої зони <$EE sub g sup roman оп ~=~2,6> еВ та питомим опором <$Erho~=~0,5> Ом-см. За методом ВЧ магнетронного розпилення мішені з порошку оксиду міді II на свіжосколоті підкладки Cd1-xZnxTe було одержано гетероструктури p-Cu2O/Cu2O/n-Cd1-xZnxTe. Дослідження впливу температури (<$E23~symbol Р roman C~symbol Г~T~symbol Г~80~symbol Р roman C>) на ВАХ гетероструктур p-Cu2O/n-Cd1-xZnxTe показали, що гетероструктури володіють яскраво вираженим випрямляючим ефектом із коефіцієнтом випрямлення RR ~~ 10<^>3 за напруги 2В, висота потенціального бар'єру <$Ee sub { phi k } ~=~0,77> еВ за T = 296 К та зменшується з ростом температури. Послідовний опір гетероструктур сягає Rs ~ 500 Ом за кімнатної температури формується підкладкою n-Cd1-xZnxTe і зменшується з ростом температури. Дослідження механізмів струмопереносу показали, що у разі малих зміщень переважає надбар'єрна емісія, за середніх - тунелювання, а за великих - генераційно-рекомбінаційний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на металургійній межі поділу. За підвищеної температури генераційно-рекомбінаційний механізм струмопереносу поступово зникає і переходить в тунелювання, що може бути пов'язане із ростом концентрації електронів з температурою у базовій області гетеропереходу (Cd1-xZnxTe) та зменшенням висоти потенціального бар'єру.

  Повний текст PDF - 563.914 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"