Фотоелектричні елементи це оптико-електронні пристрої для перетворення світлової енергії в електричну. Досліджено вплив товщини активного шару на продуктивність інвертованих сонячних елементів. Структурами виготовлених пристроїв є Glass/ITO/ZnO NPS/P3HT:PCBM/PEDOT (FOlO)/Ag. Активний шар на основі суміші полі (3-гексилтіофен) і фулерену із співвідношенням (1:0,8) є спін-покриттям з різною швидкістю одержання різних товщин. ZnO NPS (30 нм) використовували для поліпшення транспорту електронів між ITO і активним шаром. PEDOT (F010) (10 нм) використовували як дірковий транспортний шар. Комерційний ITO, використаний у даному дослідженні, має опір листа 7 <$EOMEGA "/" B0> за товщини 110 нм. Описано виготовлення та характеристики комірок, а також оптичні властивості використаних матеріалів і фотоелектричні параметри сонячних елементів. Обгрунтовано прямий зв'язок між товщиною активного шару та ефективністю інвертованих сонячних елементів. Для 200 нм P3HT:PCBM ефективність складає 4,36 %. Обговорено вплив інтенсивності світла та термічного відпалу на продуктивність фотоелектричних елементів. Характеристики клітин показують, що інтенсивність світла впливає на електричні та оптичні параметри органічних клітин.

  Повний текст PDF - 577.286 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"