Тонкоплівковий сонячний елемент є сонячним елементом другого покоління, який виготовляється шляхом нанесення одного або більше тонких шарів. Головною новизною даної роботи є вперше зроблений аналіз параметрів, що перешкоджають ефективності фотоелектричного пристрою на основі гетеропереходу CdS/MoS2. Досліджено вплив прозорого провідного оксиду (ППО) з використанням тонкої плівки оксиду цинку ZnO або оксиду свинцю PbO на характеристики сонячних елементів гетеропереходу CdS/MoS2 (щільність струму короткого замикання JSC, напруга розімкнутого ланцюга VCO, потужність-напруга (P-V) і ємність-напруга (C-V)). Усі ці характеристики реалізовано в одновимірній програмі числового моделювання SCAPS. Одержані результати показали, що в результаті використання ППО, щільність струму короткого замикання Jsc зменшується як функція прикладеної напруги для обох елементів. Незначне зниження щільності струму відбувається нижче 0,6 В і суттєве - вище цієї напруги. З іншого боку, щільність потужності зростає майже лінійно до максимуму ~ 3,83 і 3,29 мВт/см<^>2 для ZnO і PbO ТСО, відповідно. Зміна ємності з напругою аналогічна зміні щільності струму для обох конфігурацій і було виявлено, що ефективність сонячних елементів з покриттям ZnO вище, ніж елементів, покритих PbO.

  Повний текст PDF - 350.384 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"