Druzhinin A. Spin-orbit Splitting of Valence Band in Silicon Whiskers under Strain / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02019-1-02019-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_21
Магнітопровідність ниткоподібних кристалів Si з концентрацією легуючої домішки <$E2~times~10 sup 18> см<^>-3 досліджено в інтервалі магнітних полів 0 - 14 Тл за кріогенних температур за деформації стиску до - <$E2~times~10 sup -3> відн. од. Легування кристалів бором здійснювали у процесі росту за методом хімічного парофазного осадження і концентрація носіїв заряду, згідно холлівських вимірювань, становила порядку <$E2~times~10 sup 18> см<^>-3. Одновісну деформацію ниткоподібних кристалів здійснювали шляхом їх закріплення на підкладках з використанням термічної деформації за рахунок різниці коефіцієнтів термічного розширення кристала і матеріалу підкладки. Досліджено поздовжній магнітоопір для не деформованих і деформованих зразків Si в інтервалі температур 4,2 - 70 К. Недеформовані зразки мають квадратичну залежність магнітоопору від індукції магнітного поля. Деформація призводить до появи великого від'ємного магнітоопору з максимальною величиною до 15 %. Обговорено можливі причини цього ефекту. Найбільш вірогідною причиною виникнення від'ємного магнітоопору є слабка локалізація носіїв заряду. Згідно з розрахунками у моделі слабкої локалізації носіїв заряду показано, що довжина когерентності <$EL sub phi> і довжина спін-орбітальної взаємодії L80 пропорційна T<^>-0,53 і T<^>-0,45, відповідно, що відповідає теоретичним даним T<^>-1/2 для двовимірної системи. Це свідчить про те, що основний внесок у провідність ниткоподібних кристалів Si вносить транспорт носіїв заряду у приповерхневих шарах кристалів. Досліджено вплив деформації на спін-орбітальне розщеплення та спектр валентної зони ниткоподібних кристалів. В результаті розрахунків згідно k-p-методу виявлено значне розщеплення гілок легких і важких дірок під дією деформації стиску. Одержано енергію спін-орбітального розщеплення підзони важких дірок <$EDELTA sub roman SO>, яка становить 1,8 меВ. Цитованість авторів публікації:Druzhinin A.Ostrovskii I.
Khoverko Y.
Liakh-Kaguy N.
Бібліографічний опис для цитування: Druzhinin A. Spin-orbit Splitting of Valence Band in Silicon Whiskers under Strain / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02019-1-02019-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_21.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|