Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Ptashchenko F. 
Effect of Long-range Passivation of Impurity Atoms by Surface Dangling Bonds on the Conductivity of Porous Silicon / F. Ptashchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02016-1-02016-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_18
Проаналізовано експериментальні данні про вплив на провідність поруватого кремнію (PS) різних чинників, зокрема, структури поверхні, рівня легування, температури, електричного поля, атмосфери активних молекул. Аналіз теоретичних моделей провідності PS, які запропоновано на даний час, показує, що жодна модель не може одночасно пояснити всі експериментально встановлені закономірності поведінки провідності. Зокрема, не поясненими є розбіг значень енергії термічної активації провідності Ea, наявність двох значень Ea в різних температурних діапазонах, залежність Ea від розмірів нанокристалітів PS, механізм впливу на провідність молекул NO2. Запропоновано модель провідності PS, згідно з якою, основним чинником, що зумовлює низьку провідність PS, є наявність заряджених pb-центрів (атомів кремнію з обірваними зв'язками), які віддалено пасивують домішкові атоми бору або фосфору. Навколо заряджених pb-центрів виникають бар'єри для вільних носіїв, які перешкоджають їх руху через тонкі ділянки нанодротів у PS. Для перевірки цієї гіпотези було проведено 3D-моделювання проходження вільного носія через ділянку тонкого (2 - 5 нм) циліндричного нанодрота з поверхневим бар'єром. Для цього за методом кінцевих елементів розв'язано одночастинкове рівняння Піредінгера з "прозорими граничними умовами" на основах циліндру. Потенціал на бар'єрі був узятий із попередніх робіт, присвячених DFT-моделюванню далекодіючої пасивації. Розраховано прозорість Tr такої бар'єрної структури залежно від енергії E вільного носія. За одержаними залежностями Tr(E) було знайдено значення енергії Eth долання вказаних бар'єрів у нанодротах різного діаметра. Одержані значення Eth = 0,1 - 1 еВ добре узгоджуються з енергіями термічної активації провідності PS. Енергія Eth зростає у разі зменшення діаметрів кремнієвих нанодротів, що також відповідає експериментальним результатам. Наявність двох значень енергії активації провідності можна пояснити домінуванням процесів депасивації домішки за низьких температур та термічного долання бар'єрів поблизу pb-центрів за високих температур.
  Повний текст PDF - 406.998 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ptashchenko F.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Ptashchenko F. Effect of Long-range Passivation of Impurity Atoms by Surface Dangling Bonds on the Conductivity of Porous Silicon / F. Ptashchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02016-1-02016-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_18.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Птащенко Федір Олександрович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського