Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Ptashchenko F. Effect of Long-range Passivation of Impurity Atoms by Surface Dangling Bonds on the Conductivity of Porous Silicon / F. Ptashchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02016-1-02016-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_18 Проаналізовано експериментальні данні про вплив на провідність поруватого кремнію (PS) різних чинників, зокрема, структури поверхні, рівня легування, температури, електричного поля, атмосфери активних молекул. Аналіз теоретичних моделей провідності PS, які запропоновано на даний час, показує, що жодна модель не може одночасно пояснити всі експериментально встановлені закономірності поведінки провідності. Зокрема, не поясненими є розбіг значень енергії термічної активації провідності E Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Ptashchenko F. Effect of Long-range Passivation of Impurity Atoms by Surface Dangling Bonds on the Conductivity of Porous Silicon / F. Ptashchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02016-1-02016-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_18.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |