Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Lagraf Fairouz 
Channel Length Effect on Subthreshold Characteristics of Junctionless Trial Material Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs with High-k Gate Dielectrics / Lagraf Fairouz, Rechem Djamil, Guergouri Kamel, Zaabat Mourad // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02011-1-02011-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_13
  Повний текст PDF - 621.776 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Lagraf Fairouz
  • Rechem Djamil
  • Guergouri Kamel
  • Zaabat Mourad

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Lagraf Fairouz Channel Length Effect on Subthreshold Characteristics of Junctionless Trial Material Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs with High-k Gate Dielectrics / Lagraf Fairouz, Rechem Djamil, Guergouri Kamel, Zaabat Mourad // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02011-1-02011-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_13.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського