Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Rahmouni M. Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program / M. Rahmouni, S. Belarbi // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02008-1-02008-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_10 Програма моделювання аморфних напівпровідникових приладів (ASDMP), розроблена професором P. Chatterjee і широко підтверджена експериментальними результатами, є детальною програмою, де рівняння Пуассона і рівняння безперервності електронів і дірок розв'язуються одночасно без жодного спрощення. Вона враховує кінетику захоплення і рекомбінації через стани у забороненій зоні. У цій програмі щільність станів моделюється за допомогою стандартної моделі (SM). Така модель описує дефекти двома гаусіанами поблизу центра забороненої зони та двома хвостами, експоненціально розподіленими за енергією, і припускає, що щільність станів однорідна у просторі. Defect pool model (DPM) є вдосконаленою моделлю формування дефектів у гідрогенізованому аморфному кремнії на основі ідеї, що сітка невпорядкованнх атомів a-Si:H має великий спектр локальних середовищ, в яких може бути сформований дефект. Таким чином, ці дефекти вибирають місця, де їх енергія утворення мінімальна, і це стає можливим з рухом водню. Використовуючи підхід до опису дефектів, розроблено числову DPM і застосовано її у ASDMP за термодинамічної рівноваги. Автори використали ASDMP, щоб одержати щільність станів у кожній позиції сонячного елемента на основі стандартної структури p-i-n. Показано вплив допінгу на концентрацію дефектів і досліджено вплив положення рівня Фермі на розподіл щільності станів. Визначено використання ASDMP ключовим результатом того, що негативно заряджені дефекти в матеріалі n-типу розташовані нижче за енергією, ніж позитивно заряджені дефекти в матеріалі p-типу, навіть якщо енергія кореляції позитивна. Розраховано електричне поле і діаграми смуг за термодинамічної рівноваги як з DPM, так і з SM. Показано, що електричне поле, одержане від DPM, сильніше поблизу інтерфейсів і нижче в об'ємі, де діаграми смуг більш плоскі. Таку поведінку електричного поля, розрахованого за даною моделлю, виявлено зі збільшенням нахилу хвостів валентної зони. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Rahmouni M. Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program / M. Rahmouni, S. Belarbi // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02008-1-02008-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_10. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |