Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Kurochka A. 
Features of Ion-Electronic Emission from Surface of Semiconductors / A. Kurochka, A. Sergienko, S. Kurochka, V. Kolybelkin, S. G. Emelyanov, E. V. Yakushko, L. M. Chervjakov // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04036-1-04036-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4%281%29__38
The results of the research value of the current of the secondary electrons in the ion-beam etching of various semiconductors. Shows the setup and electrical circuit of the experiment. An experimental study to determine the dependence of the current of the secondary electrons from the band gap Eg and the height of the potential barrier (electron affinity) echi. It is shown that in the conditions of ion-beam etching of the semiconductor is the penetration of the electric field, which leads to a shift of the energy levels of electrons in the surface layer. Found that the ion-electronic signal emission silicon n-type is higher than the p-type silicon.
  Повний текст PDF - 248.187 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Kurochka A.
  • Sergienko A.
  • Kurochka S.
  • Kolybelkin V.
  • Emelyanov S.
  • Yakushko E.
  • Chervjakov L.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Kurochka A. Features of Ion-Electronic Emission from Surface of Semiconductors / A. Kurochka, A. Sergienko, S. Kurochka, V. Kolybelkin, S. G. Emelyanov, E. V. Yakushko, L. M. Chervjakov // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04036-1-04036-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4(1)__38.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського