Diode Based on Amorphous SiC

Zakhvalinskii, V. S.; Borisenko, L. V.; Aleynikov, A. J.; Piljuk, E. A.; Goncharov, I.; Taran, S. V.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Zakhvalinskii V. S.
Diode Based on Amorphous SiC / V. S. Zakhvalinskii, L. V. Borisenko, A. J. Aleynikov, E. A. Piljuk, I. Goncharov, S. V. Taran // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04029-1-04029-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4%281%29__31

Diode structure on the basis of amorphous silicon carbide and p-type polycrystalline silicon (Eurosolar) were obtained with magnetron RF-nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere.

Повний текст PDF - 202.138 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Zakhvalinskii V. S. Diode Based on Amorphous SiC / V. S. Zakhvalinskii, L. V. Borisenko, A. J. Aleynikov, E. A. Piljuk, I. Goncharov, S. V. Taran // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04029-1-04029-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4(1)__31.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача