Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Bhatt G. G. 
Laser Induced Damage Studies on Al2O3, SiO2, and MgF2 Thin Films for Anti-Reflection Coating Application in Nigh Power Laser Diode / G. G. Bhatt, A. L. Patel, M. S. Desai, C. J. Panchal // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02016-1-02016-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_18
The laser diode facet damage is one of the impeding factors of the high-power laser diode operation. To overcome this restriction laser diode facet coating can be utilized. During the high power operation of the laser diode, it is observed that the single layer anti reflection (AR) coating at the front facet shows optical damage while the multilayer high reflective coating at the back facet remains undamaged. To determine the "damage threshold" of the materials used for AR coating, an e-beam evaporated Al2O3, MgF2, and SiO2 single layer thin films on GaAs substrate have been optimized for the wavelength ~ 1060 nm. The diode pumped Q-switched Neodymium Yttrium Aluminum Garnet (Nd:YAG) laser (1064 nm) was used to damage the samples. The damage on the sample was observed under the microscope. The effective damage radius on the samples was 150 mu m and average continuous wave laser induced damage threshold was found > 10 W.
  Повний текст PDF - 410.179 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bhatt G.
  • Patel A.
  • Desai M.
  • Panchal C.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Bhatt G. G. Laser Induced Damage Studies on Al2O3, SiO2, and MgF2 Thin Films for Anti-Reflection Coating Application in Nigh Power Laser Diode / G. G. Bhatt, A. L. Patel, M. S. Desai, C. J. Panchal // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02016-1-02016-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_18.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського