Impact of Scaling Gate Insulator Thickness on the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs)

Dass, D.; Prasher, R.; Vaid, R.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Dass D.
Impact of Scaling Gate Insulator Thickness on the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) / D. Dass, R. Prasher, R. Vaid // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02014-1-02014-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_16

Повний текст PDF - 499.315 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Dass D.

Prasher R.

Vaid R.

Бібліографічний опис для цитування:

Dass D. Impact of Scaling Gate Insulator Thickness on the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) / D. Dass, R. Prasher, R. Vaid // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02014-1-02014-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_16.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача