Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Khairnar A. G. 
Surface Passivation of Germanium Using NH3 Ambient in RTP for High Mobility MOS Structure / A. G. Khairnar, Y. S. Mhaisagar, A. M. Mahajan // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02009-1-02009-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_11
Ge CMOS is very striking for the post Si-CMOS technology. However, we have to attempt a number of challenges with regard to materials and their interface control. In this paper we have investigated the control of the interfacial properties of SiO2 / Ge gate stack structures by the thermal nitridation technique. Structural and electrical properties of SiO2 gate-dielectric metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors deposited by sputtering on germanium are studied. The structural characterization confirmed that the thin film was free of physical defects and smooth surface of the films after PDA at 500 oC in N2 ambient. The smooth surface SiO2 thin films were used for Pt / SiO2 / GeON / Ge MOS structures fabrication. The MOS structure yields a low leakage current density of 9,16 x 10-6 A x cm-2 at 1 V.
  Повний текст PDF - 318.288 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Khairnar A.
  • Mhaisagar Y.
  • Mahajan A.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Khairnar A. G. Surface Passivation of Germanium Using NH3 Ambient in RTP for High Mobility MOS Structure / A. G. Khairnar, Y. S. Mhaisagar, A. M. Mahajan // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02009-1-02009-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_11.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського