An Ultra-low Power, High SNM, High Speed and High Temperature of 6T-SRAM Cell in 3C-SiC 130 nm CMOS Technology

Berbara, D.; Abboun, Abid M.; Hebali, M.; Benzohra, M.; Chalabi, D.


	Наукова періодика України		Journal of nano- and electronic physics

Berbara D.
An Ultra-low Power, High SNM, High Speed and High Temperature of 6T-SRAM Cell in 3C-SiC 130 nm CMOS Technology / D. Berbara, Abid M. Abboun, M. Hebali, M. Benzohra, D. Chalabi // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 4. - С. 04024-1-04024-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_4_26

Повний текст PDF - 363.858 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Berbara D. An Ultra-low Power, High SNM, High Speed and High Temperature of 6T-SRAM Cell in 3C-SiC 130 nm CMOS Technology / D. Berbara, Abid M. Abboun, M. Hebali, M. Benzohra, D. Chalabi // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 4. - С. 04024-1-04024-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_4_26.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача