Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Galat A. B. 
Analytical Estimation of Recombination Current of Sharp Asymmetric p-n Junction / A. B. Galat, A. L. Donchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05005-1-05005-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_7
Під час моделювання асиметричного p-n переходу високолегована область в наближенні малих струмів не впливає на розподіл носіїв в низьколегованої області, в якій зосереджений весь об'ємний заряд. Проведено аналітичну оцінку струму рекомбінації через пастки в області просторового заряду і у квазінейтральній області. Для одержання аналітичного уявлення застосовується наближення лінійності розподілу потенціалу в околиці перетину максимальної рекомбінації. Запропоновано методику аналітичної оцінки інтеграла питомої об'ємної швидкості рекомбінації по області просторового заряду, що не береться через елементарні функції. Підтверджено можливість підвищення точності аналітичної оцінки рекомбінаційного струму через пастки в області просторового заряду. Визначено диференційний коефіцієнт ідеальності і проаналізовано його динаміку залежно від напруги на переході. Виконано порівняльний аналіз наступних оцінок струму рекомбінації: струм рекомбінації в області просторового заряду за елементарної оцінки, дифузний струм з низьколегованої квазінейтральної області, струм рекомбінації через пастки у квазінейтральній області, струм у разі лінійної апроксимації потенціалу в області максимальної рекомбінації через аналітичний інтеграл, реальний струм рекомбінації. Наведено аналіз похибки розрахунку струму рекомбінації від рівня легування слаболегованих області і прикладеної напруги. З наведених даних видно, що оцінка похибки розрахунку струму через аналітичний інтеграл не перевищує 10 % що цілком достатньо для її застосування під час моделювання струму рекомбінації більшості силових напівпровідникових приладів.
  Повний текст PDF - 593.124 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Galat A.
  • Donchenko A.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Galat A. B. Analytical Estimation of Recombination Current of Sharp Asymmetric p-n Junction / A. B. Galat, A. L. Donchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05005-1-05005-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_7.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського