Перспективи та доцільність роботи представлені для транзисторів MOSi1-xGex, змодельованих за 130 нм субмікронною технологією. Модель BSIM3v3 використовувалася для аналізу роботи транзисторів відповідно до вивчення впливу фракції x германію (з x = 0 до x = 1) на електричні характеристики цих транзисторів з урахуванням впливу температури. PSpice параметри двох різних транзисторів NMO1-xGex і PMO1-xGex було розраховано та використано у моделюванні. Вихідні і перехідні електричні характеристики було визначено в інтервалі температур від -200 до <$E200~symbol Р roman C>. Субпороговий режим розглянуто шляхом обчислення струмів ION та IOFF як функції VGS для постійного VDD. За результатами моделювання показано, що вищезгадані транзистори працюють належним чином у режимі з пороговою напругою близько 1,2 В. Вони можуть бути використані в мікроелектроніці низької напруги та малої потужності шляхом керування фракцією x германію.

  Повний текст PDF - 547.839 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"