Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Botsula O. V. InGaAs- based Graded Gap Active Elements with Static Cathode Domain for Terahertz Range / O. V. Botsula, К. H. Prykhodko, V. A. Zozulia // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01006-101006-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_8 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Botsula O. V. InGaAs- based Graded Gap Active Elements with Static Cathode Domain for Terahertz Range / O. V. Botsula, К. H. Prykhodko, V. A. Zozulia // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01006-101006-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_8. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |