Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Benhabara H. Crystalline Volume Fraction Effect on the Electronoc Properties of Hydro-genated Microcrystalline Silicon µc-Si:H Investigated by Ellipsometry and AMPS-1D Simulation / H. Benhabara, J. D. Sib, A. Bouhekka, M. Chahi, D. Benlakhel, A. Kebbab, Y. Bouizem, L. Chahed // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01014-1-01014-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_16 Мета роботи - експериментальне і модельне дослідження кореляції між об'ємною фракцією кристалів і транспортними властивостями тонких плівок гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, використовуючи одновимірний аналіз програми мікроелектронних і фотонних структур (AMPS-1D). Об'ємну фракцію кристалів визначали за допомогою спектроскопічної еліпсометрії і вимірювання електропровідності. Зразки гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію осаджували за методом радіочастотного магнетронного розпилення кристалічної мішені кремнію у газовій суміші аргону і водню за трьох різних сумарних тисків (2, 3 і 4 Па) та змінюючи температуру підкладки (25, 100, 150 і <$E200~symbol Р roman C>). Темна провідність вимірювалася в копланарній конфігурації в оптичному кріостаті за прикладання електричного поля і керуючого струму. У дослідженнях темної провідності з використанням AMPS-1D моделювали плівки як чергування аморфних і кристалічних областей з різними кристалічними об'ємними фракціями (від 0 до 80 %). Результати показали, що провідність залежить від ширини ділянки, що розділяє аморфні та кристалічні області. Було виявлено сильну кореляцію між енергією активації плівок гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію і об'ємною часткою кристалічних речовин, де співвідношення розміру зерна до його товщини відіграє вирішальну роль. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Benhabara H. Crystalline Volume Fraction Effect on the Electronoc Properties of Hydro-genated Microcrystalline Silicon µc-Si:H Investigated by Ellipsometry and AMPS-1D Simulation / H. Benhabara, J. D. Sib, A. Bouhekka, M. Chahi, D. Benlakhel, A. Kebbab, Y. Bouizem, L. Chahed // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01014-1-01014-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_16. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |