Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Ahmed Mahmood Electrical charac-terization of Ge-FinFET Transistor Based on Nanoscale Channel Dimensions / Mahmood Ahmed, A. Jabbar Waheb, Bin Manap Hadi, Hasim. Yasir // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01011-1-01011-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_13 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Ahmed Mahmood Electrical charac-terization of Ge-FinFET Transistor Based on Nanoscale Channel Dimensions / Mahmood Ahmed, A. Jabbar Waheb, Bin Manap Hadi, Hasim. Yasir // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01011-1-01011-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_13. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |