Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Ahmed Mahmood 
Electrical charac-terization of Ge-FinFET Transistor Based on Nanoscale Channel Dimensions / Mahmood Ahmed, A. Jabbar Waheb, Bin Manap Hadi, Hasim. Yasir // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01011-1-01011-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_13
  Повний текст PDF - 370.11 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ahmed M.
  • Waheb A.
  • Hadi B.
  • Yasir H.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Ahmed Mahmood Electrical charac-terization of Ge-FinFET Transistor Based on Nanoscale Channel Dimensions / Mahmood Ahmed, A. Jabbar Waheb, Bin Manap Hadi, Hasim. Yasir // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01011-1-01011-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_13.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського