Boron Monolayer X3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole

Boroznina, E. V.; Davletova, O. A.; Zaporotskova, I. V.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Boroznina E. V.
Boron Monolayer X3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole / E. V. Boroznina, O. A. Davletova, I. V. Zaporotskova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(2). - С. 04054-1-04054-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%282%29__5

Повний текст PDF - 627.044 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Boroznina E.

Davletova O.

Zaporotskova I.

Бібліографічний опис для цитування:

Boroznina E. V. Boron Monolayer X3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole / E. V. Boroznina, O. A. Davletova, I. V. Zaporotskova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(2). - С. 04054-1-04054-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(2)__5.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача