| Наукова періодика України |
| Journal of Nano- and Electronic Physics |
Seyedehsomayeh Hatefinasab CNTFET-based Design of a High-efficient Full Adder Using XOR Logic / Seyedehsomayeh Hatefinasab // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(2). - С. 04061-1-04061-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%282%29__12 This paper presents a new low power and high speed full adder based on Carbon Nano Tube Field Effect Transistor (CNTFET) technology. This proposed full adder is based on a XOR logic function using 32 nm CNTFET technology. The MOSFET-like CNTFET is applied in this paper to use CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) logic gate. The better structure of CNTFET transistors can improve the performance of full adder based on CNTFET technology [1]. The proposed full adder is simulated in different frequencies, various supply voltages, temperatures and load capacitances to prove better performance in different conditions using the Synopsys HSPICE simulator software in comparison with previous full adders in CNTFET technology. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Seyedehsomayeh Hatefinasab CNTFET-based Design of a High-efficient Full Adder Using XOR Logic / Seyedehsomayeh Hatefinasab // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(2). - С. 04061-1-04061-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(2)__12. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
