Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SiC)1–x(AlN)x

Altukhov, V. I.; Bilalov, B. A.; Sankin, A. V.; Filipova, S. V.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Altukhov V. I.
Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SiC)1–x(AlN)x / V. I. Altukhov, B. A. Bilalov, A. V. Sankin, S. V. Filipova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04003-1-04003-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%281%29__5

It is shown that taking into account nonlinear dependence of the Fermi energy EF defect concentration leads to higher barrier Schottky in 15 - 25 %. Calculated Volt-Amper characteristics of the diodes are consistent with experiment.It is shown that taking into account nonlinear dependence of the Fermi energy EF defect concentration leads to higher barrier Schottky in 15 - 25 %. Calculated Volt-Amper characteristics of the diodes are consistent with experiment.

Повний текст PDF - 474.218 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Altukhov V. I. Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SiC)1–x(AlN)x / V. I. Altukhov, B. A. Bilalov, A. V. Sankin, S. V. Filipova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04003-1-04003-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(1)__5.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача