Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Kumar A. 
A Two Dimensional Surface Potential Model for Triple Material Double Gate Junctionless Field Effect Transistor / A. Kumar, A. Chaudhry, V. Kumar, V. Sharma // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04042-1-04042-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%281%29__44
In this paper, a two dimensional analytical Surface Potential model for the triple material double gate (TMDG) junctionless-field effect transistor (JLFET) in sub-threshold region has been presented. The effect of source and drain depletion width has also been taken into account. We have solved two-dimensional Poisson's equation for the Surface Potential. Then the centre potential and the electric field is also obtained. We have calculated the surface potential for different channel lengths. All the modelled results are then compared with the simulated results of the 2D device simulator TCAD.
  Повний текст PDF - 577.162 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Kumar A.
  • Chaudhry A.
  • Kumar V.
  • Sharma V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Kumar A. A Two Dimensional Surface Potential Model for Triple Material Double Gate Junctionless Field Effect Transistor / A. Kumar, A. Chaudhry, V. Kumar, V. Sharma // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04042-1-04042-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(1)__44.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського