Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of  SOI TRI-GATE FinFET Transistor

Rahou, F. Z.; Bouazza, A. G.; Bouazza, B.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Rahou F. Z.
Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor / F. Z. Rahou, A. G. Bouazza, B. Bouazza // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04037-1-04037-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%281%29__39

Повний текст PDF - 724.103 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Rahou F.

Bouazza A.

Bouazza B.

Бібліографічний опис для цитування:

Rahou F. Z. Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor / F. Z. Rahou, A. G. Bouazza, B. Bouazza // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04037-1-04037-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(1)__39.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача