Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Ivanov O. N. 
Low-temperature Minimum in the Electrical Resistivity of the Bi1.9Lu0.1Te3 / O. N. Ivanov, M. N. Yaprintsev, R. A. Lyubushkin, O. N. Soklakova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04036-1-04036-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%281%29__38
Температурная зависимость удельного электрического сопротивления <$Erho> Bi1,9Lu0,1Te3 изучена в интервале температур 2 - 230 K. Минимум сопротивления обнаружен при температуре <$ET sub m ~symbol Ы~11>. Этот минимум появляется из-за изменения механизма проводимости. Выше Tm сопротивление увеличивается с увеличением температуры. Это поведение обусловлено уменьшением подвижности электронов из-за рассеяния фононов при нагревании. Ниже Tm прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, основанная на туннелировании электронов, имеет место. В этом случае <$Erho> увеличивается с понижением температуры. Два полевых режима прыжковой проводимости обнаружены в зависимостях сопротивления от напряженности электрического поля.Температурная зависимость удельного электрического сопротивления <$Erho> Bi1,9Lu0,1Te3 изучена в интервале температур 2 - 230 K. Минимум сопротивления обнаружен при температуре <$ET sub m ~symbol Ы~11>. Этот минимум появляется из-за изменения механизма проводимости. Выше Tm сопротивление увеличивается с увеличением температуры. Это поведение обусловлено уменьшением подвижности электронов из-за рассеяния фононов при нагревании. Ниже Tm прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, основанная на туннелировании электронов, имеет место. В этом случае <$Erho> увеличивается с понижением температуры. Два полевых режима прыжковой проводимости обнаружены в зависимостях сопротивления от напряженности электрического поля.
  Повний текст PDF - 537.82 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ivanov O.
  • Yaprintsev M.
  • Lyubushkin R.
  • Soklakova O.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Ivanov O. N. Low-temperature Minimum in the Electrical Resistivity of the Bi1.9Lu0.1Te3 / O. N. Ivanov, M. N. Yaprintsev, R. A. Lyubushkin, O. N. Soklakova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04036-1-04036-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(1)__38.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського