Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Sossoe K. K. 
Optical and Structural Characterization of Pin Photodetector Based on Germanium Nanocrystals for Third Generation Solar Cells / K. K. Sossoe, M. M. Dzagli, K. S. Gadedjisso-Tossou, A. M. Mohou, B. Grandidier // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04035-1-04035-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%281%29__37
We investigated the structural and optoelectronic properties of p-n germanium nanocrystals based junctions embedded between GaAs substrate and layers of ZnO:Al or a-Si:H. Scanning electron microscopy and scanning tunneling microscopy were used on these junctions in this work. Calculations of tunneling current on the substrate showed effect of localized defects trapping Fermi level at the surface tending to make a semi-insulating substrate. The average value of the diameter of the Ge nanoparticle is around 12,5 nm. These results lay the foundation for the development of solar cells which active part is made of GeNCs.
  Повний текст PDF - 332.157 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Sossoe K.
  • Dzagli M.
  • Gadedjisso-Tossou K.
  • Mohou A.
  • Grandidier B.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Sossoe K. K. Optical and Structural Characterization of Pin Photodetector Based on Germanium Nanocrystals for Third Generation Solar Cells / K. K. Sossoe, M. M. Dzagli, K. S. Gadedjisso-Tossou, A. M. Mohou, B. Grandidier // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04035-1-04035-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(1)__37.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського