Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Dongale T. D. Investigating the Temperature Effects on ZnO, TiO2, WO3 and HfO2 Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices / T. D. Dongale, K. V. Khot, S. V. Mohite, S. S. Khandagale, S. S. Shinde, V. L. Patil, S. A. Vanalkar, A. V. Moholkar, K. Y. Rajpure, P. N., Patil P. S., Gaikwad P. K., Kamat R. K. Bhosale // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04030-1-04030-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%281%29__32 In this paper, we report the effect of filament radius and filament resistivity on the ZnO, TiO Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Dongale T. D. Investigating the Temperature Effects on ZnO, TiO2, WO3 and HfO2 Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices / T. D. Dongale, K. V. Khot, S. V. Mohite, S. S. Khandagale, S. S. Shinde, V. L. Patil, S. A. Vanalkar, A. V. Moholkar, K. Y. Rajpure, P. N., Patil P. S., Gaikwad P. K., Kamat R. K. Bhosale // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04030-1-04030-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(1)__32. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |