Використовуючи метод структурної інженерії шляхом зміни товщини шарів у багатоперіодній системі ZrN/MoN досліджено вплив фазово-текстурного стану кристалітів і їх розмір на твердість вакуумно-дугових покриттів. Виявлено визначальний вплив ZrN шарів на формування переважної орієнтації зросту з віссю [100] за малої товщини шарів 7 - 20 нм (час осадження 3 - 10 сек). За великої товщини шарів визначальними текстуру [311] є кристаліти gamma-Mo₂N фази, що формується в Mo - N шарах. Імпульсна високовольтна стимуляція, не змінюючи тип структурних станів для різних товщин шарів, призводить до часткової розорієнтації текстури за великої товщини шарів. Твердість покриттів з товстими (80 нм) шарами становить 35 - 37 ГПа. У шарах малої товщини імпульсна стимуляції рухливості атомів призводить до формування планарної структури з середнім розміром кристалітів в шарах 4 - 9 нм, що супроводжується підвищенням твердості до 44 ГПа.

  Повний текст PDF - 600.137 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"